鲁圣国
,
李标荣
,
麦炽良
,
黄健洪
无机材料学报
对近年来有关铁电纳米粉体、纳米复合材料、以及纳米陶瓷的制备,结构和性能进行了介绍.对由于粒子尺寸减小引起的结构和性能的改变及其相关机理进行了讨论.透明铁电纳米复合材料可望在光学存储、光学计算等光学器件中得到应用.而纳米陶瓷由于介电特性、耐电压、抗老化、机械强度等性能的提高,因而可以广泛用于改进现有电容器材料的性能,获得性能更加优良的器件.
关键词:
铁电体
,
nanopowder
,
nanoceramic
,
nanocomposite
,
size effect
,
dielectric properties
,
photoluminescence spectrum
李月明
,
陈文
,
徐庆
,
周静
,
廖梅松
无机材料学报
研究了(Na0.8K0.2)0.5Bi0.5TiO3陶瓷的介电和压电性能,发现陶瓷从室温到500℃温度范围的介电谱中存在两个介电峰,电滞回线显示第一个介电峰由铁电-反铁电相变引起的,温度继续升高,反铁电相由宏畴变为微畴,微畴向顺电相转变导致了第二个介电峰,该峰对应的相变为弥散型相变。室温下陶瓷具有较高的剩余极化强度Pr=29.4μC/cm2和相对低的矫顽电场Ec=2.8kV/mm,极化后的陶瓷显示出较高的压电常数d33=120pC/N和机电耦合系数Kp28.5％,以及高的频率常数Nφ=2916Hz·m,120℃具有最小的谐振频率温度系数。
关键词:
钛酸铋钠
,
dielectric properties
,
piezoelectric properties
,
relaxor phase transition
,
antiferroelectric
赵海洋
,
王为民
,
傅正义
,
王皓
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00099
用热压工艺制备了AlN-BN复合陶瓷材料, 研究了不同含量CaF2烧结助剂对致密化、介电和热导性能的影响. 研究表明: CaF2添加剂可促进材料致密化, 净化材料晶界, 优化材料的综合性能. 热压1850℃保温3h可获得高致密度的烧结体, 添加3wt%～4wt%的CaF2, 可获得98.53%～98.54%的相对密度. 制备的AlN-BN复合材料其介电常数在7.29～7.60之间, 介电损耗值最小为6.28×10-4, 添加3wt%的CaF2获得的热导率为10W·m-1·K-1.
关键词:
AlN-BN
,
dielectric properties
,
thermal conductivity
,
ceramic composites
王升
,
周晓华
,
张树人
,
李波
,
陈祝
无机材料学报
提出了一种制备抗还原BCTZ系陶瓷材料的新工艺. 采用溶胶-凝胶法在500～800℃下合成复合氧化物掺杂剂, 此掺杂剂与水热法合成的超细(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3粉体混合球磨可得抗还原介质瓷料, 该瓷料可在还原性气氛中烧成适用于贱金属电极的, 具有高介电常数和低介质损耗的多层陶瓷电容器陶瓷材料. 本文讨论了复合氧化物掺杂剂的合成温度、陶瓷烧结温度和退火时间等工艺参数对陶瓷介电性能和微结构的影响. 研究表明, 在低温下合成的纳米颗粒的复合氧化物掺杂剂(纳米掺杂剂)很适合超细瓷料的掺杂改性. 在500～800℃内, 复合氧化物掺杂剂的合成温度升高将导致BCTZ系陶瓷的居里点、介质损耗和介电常数最大值的降低.对陶瓷烧结工艺的研究表明, 采用此新工艺可获得符合Y5V标准的BCTZ系抗还原介质陶瓷, 其室温相对介电常数不小于18000, 介质损耗低于0.7%, 绝缘电阻率达到1012Ω·cm, 居里点在5～20℃之间可调, 平均晶粒尺寸GAV小于4μm. 该新工艺可望用于大容量Y5V镍内电极多层陶瓷电容器的生产.
关键词:
多层陶瓷电容器
,
BCTZ ceramics
,
complex oxide dopants
,
sol-gel
,
dielectric properties
,
annealing
崔斌
,
田长生
,
史启祯
无机材料学报
研究了制备纯钙钛矿相0.80Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.20PbTiO3(缩写为PMNT)陶瓷的半化学法新工艺.详细讨论了除Nb2O5外,其它反应物以其非氧化物形态分别代替PbO、MgO和TiO2,以及PbTiO3或同成分的0.80PMN-0.20PT等钙钛矿相子晶对PMNT预烧粉体中钙钛矿相含量的影响;探讨了烧结温度对半化学法制备的PMNT陶瓷介电性能的影响,并对PMNT陶瓷的相组成、显微组织及介电性能进行了表征和测定.结果表明:提高镁组分的反应活性对提高预烧粉体中钙钛矿相含量的效果较好,同时以钛酸四丁酯取代TiO2的效果最好;半化学法工艺简单,能在850℃/2h预烧条件下制得几乎纯钙钛矿相的PMNT粉体,经过较低的烧结温度(950℃/2h)可制得致密的、介电性能优异的PMNT陶瓷.
关键词:
半化学法
,
relaxor ferroelectrics
,
perovskite phase
,
dielectric properties
郑分刚
,
陈建平
,
李新碗
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00459
用溶胶-凝胶法在镀有氧化铟锡透明导电电极的玻璃基片上沉积钛酸镧铅薄膜, 在相对较低温度580℃退火, 得到了纯钙钛矿结构的透明PLT薄膜, 薄膜厚度从580～1830nm. 随着薄膜厚度的增加, PLT薄膜的晶粒变大、介电常数增大, 而矫顽场减小. 所有样品的透射率都在70%以上, 最大达到90%左右. 当薄膜厚度增加后, 透射率降低, 并且截止波长向长波方向移动. 在633nm处, 1830nm厚的PLT(掺镧8%)薄膜的折射率n和消光系数分别为2.39和0.009.
关键词:
PLT厚膜
,
dielectric properties
,
optical properties
,
sol-gel
赵永林
,
杜丕一
,
翁文剑
,
韩高荣
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00466
用溶胶-凝胶法制备了(Pbx,Sr1-x)0.85Bi0.1TiO3薄膜, 对其晶相结构、微观形貌和介电可调性进行了研究. 结果表明, 该薄膜以钙钛矿形式存在. 快速热处理过程可分解得到高活性离子,直接形成比相应温度平衡状态析晶时更多的晶相量. 这种晶相在一定条件下有分解和再结晶的趋势. 随着Pb2+离子增加和Sr2+离子减少, 钙钛矿相的四方相与立方相间的转变温度升高. 薄膜处在铁电相和顺电相转变点附近时, 可以获得较大的可调性.
关键词:
PST薄膜
,
dielectric properties
,
sol-gel method
,
phase formation
廖家轩
,
魏雄邦
,
潘笑风
,
张佳
,
傅向军
,
王洪全
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1007.2009.00962
用溶胶凝胶(Sol-Gel)法制备了三种钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3, BST)薄膜：常规的四层薄膜, 在逐层制备过程中，对首层薄膜进行中间热处理(Preheat-treatment, PT)的四层薄膜及间隔或交替地对奇数层薄膜进行中间热处理（称为交替中间热处理(Alternate-preheat-treatment, APT)）的八层薄膜. 用XPS研究薄膜表面成分化学态, 用SEM和AFM观察表面形貌及晶化, 并进行了介电性能测试. 结果表明, 常规薄膜介电性能差; 经PT, 薄膜裂纹和缩孔显著减少，形貌明显改善，表面非钙钛矿结构显著减少, 介电性能明显提高; 经APT, 薄膜形貌进一步改善，平均晶粒大小约30nm，非钙钛矿结构进一步减少, 介电损耗明显降低，介电稳定性和介电强度大幅度提高. APT为制备退火温度低及结构均匀致密的纳米晶BST薄膜提供了新方法, 可满足低频实用要求. 退火温度对薄膜厚度的影响也进行了讨论.
关键词:
中间热处理
,
alternate-preheat-treatment
,
barium strontium titanate film
,
dielectric properties
杨文
,
常爱民
,
庄建文
,
杨邦朝
无机材料学报
采用溶胶-凝胶工艺制备了Ba0.65Sr0.35TiO3粉体,并利用微波烧结技术对粉体进行了合成和烧结,研究分析了样品的介电特性,并与传统制备工艺获得的样品进行了性能比较.实验结果表明,获得的Ba0.65Sr0.35TiO3粉体颗粒较细,其合成温度和烧结成瓷温度都较传统工艺有大幅度降低,分别为900和1310℃;可以获得晶粒尺寸在1μm以内的陶瓷;随晶粒的减小,材料的相对介电常数变化不大,而介电损耗大大降低.
关键词:
钛酸锶钡陶瓷
,
microwave sintering
,
sol-gel
,
dielectric properties
